PhD Monitor
/جزئیات
فیزیک نیمه‌هادی و هوش مصنوعی● بازPreview

مقطع دکتری در روش‌شناسی‌های هوش مصنوعی برای تحلیل تأثیر نقص در ادوات قدرت SiC

توسعه ابزارهای تحلیل پیشرفته مبتنی بر هوش مصنوعی برای ارزیابی نقص‌های بلوری در ادوات نیمه‌هادی قدرت سیلیکون کارباید.

مناسب برای:مناسب برای نامزدهایی با پیشینه قوی در هوش مصنوعی، علم مواد، یا فیزیک نیمه‌هادی که به دنبال یک موقعیت دکتری ساختاریافته هستند.

CEA · France
استادان بیشتر در CEA
سیلیکون کاربایدادوات قدرتنقص‌های بلوریهوش مصنوعیمشخصه‌یابی نیمه‌هادی
مهلت
۳۰ نوامبر ۲۰۲۶
۴۶ روز
بودجه
حقوقی
شروع
—
مکان
France

مرور کلی

این موقعیت دکتری یک فرصت پژوهشی با تامین مالی را در آزمایشگاه اجزای قدرت نیمه‌هادی (LETI) در فرانسه فراهم می‌کند که بر روی ادوات قدرت سیلیکون کارباید (SiC) متمرکز است. پژوهشگر مقطع دکتری ابزارهای تخصصی هوش مصنوعی را برای تحلیل رابطه بین نقص‌های بلوری مواد و عملکرد الکتریکی در دیودها و ماسفت‌های قدرت می‌سازد و مستقر می‌کند. مسئولیت‌ها شامل آموزش مدل‌های یادگیری ماشین روی مجموعه‌داده‌های الکتریکی و نگاشت نقص موجود، و متعاقباً اعمال این چارچوب‌ها بر روی دسته‌های قطعات تازه تولید شده است. نامزد موفق از نزدیک با شرکای صنعتی و تیم‌های مشخصه‌یابی همکاری خواهد کرد و روش‌شناسی‌هایی را ارائه می‌دهد که به‌طور بالقوة می‌تواند به سایر مواد با گاف باند پهن نیز تسری یابد.

ادوات قدرت SiCابزارهای هوش مصنوعیتحلیل نقصماسفت‌هادیودهاساخت نیمه‌هادیLETI

نحوهٔ درخواست

آزمایشگاه
SiC Team
CEA
France
موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان
آماده‌اید؟
۴۶ روز تا مهلت — به این موقعیت اقدام کن.