شناسایی نقص‌های اتصال در ترانزیستورهای SOI MOSFET با بودجه حرارتی پایین
بررسی اتصالات پیشرفته برای یکپارچه‌سازی ترتیبی سه‌بعدی در ماسفت‌ها (MOSFETs) از طریق مشخصه‌یابی فیزیکی و الکتریکی.
مناسب برای:مناسب برای فارغ‌التحصیلان میکروالکترونیک یا نانوفناوری علاقه‌مند به فیزیک نیمه‌هادی‌ها و یکپارچه‌سازی پیشرفته ادوات.
مرور کلی
این موقعیت دکتری به طور مشترک در CEA-Leti و CROMA تحت نظارت دافنه بوش (Daphnée Bosch) میزبانی می‌شود. این پژوهش بر تحلیل نقص‌های اتصالات ترانزیستورهای جدید ساخته‌شده تحت بودجه‌های حرارتی محدود برای یکپارچه‌سازی ترتیبی سه‌بعدی تمرکز دارد. کاندیدا در زمینه‌های شبیه‌سازی، درک فرآیند، مدیریت یکپارچه‌سازی در اتاق تمیز و مشخصه‌یابی گسترده فیزیکی و الکتریکی مشارکت خواهد کرد. یافته‌ها از طریق ارائه‌ها و مقالات داوری‌شده منتشر خواهند شد.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.