دکتری در تحلیل ساختاری میکروالکترونیک پیشرفته با استفاده از میکروسکوپ اشعه ایکس میدان تاریک

این موقعیت دکتری بر استفاده از میکروسکوپ اشعه ایکس میدان تاریک (DFXM) برای بررسی معماری‌های پیشرفته میکروالکترونیک تحت تنش ترمومکانیکی تمرکز دارد. این پروژه که در پلتفرم نانوشناسایی CEA-Leti مستقر است، روش‌شناسی برای تحلیل تنش چندمقیاسی در دستگاه‌های پیچیده بدون تخریب نمونه را توسعه خواهد داد. همکاری با خط باریکه ID03 در ESRF و تکنیک‌های مکمل مانند میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و طیف‌سنجی رامان، نقشه‌برداری سه‌بعدی تنش، جهت‌گیری و نقص‌های مدفون را امکان‌پذیر می‌سازد. هدف این پژوهش افزایش قابلیت اطمینان و بهینه‌سازی طراحی برای فناوری‌های کوانتومی، فوتونیک و میکروالکترونیک کم‌مصرف است. نامزد موفق به علم بنیادی و کاربردی در نانوالکترونیک کمک خواهد کرد.