توسعه تکنیک‌های مشخصه‌یابی XPS برای ناخالصی‌های فعال در میکروالکترونیک

این موقعیت دکتری در Université Grenoble Alpes بر پیشبرد تکنیک‌های مشخصه‌یابی برای میکروالکترونیک با استفاده از طیف‌سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS) تمرکز دارد. هدف این پروژه، توسعه یک روش تکرارپذیر برای اندازه‌گیری غلظت ناخالصی‌ها و حالت‌های شیمیایی آن‌ها در لایه‌های اپی‌تاکسیال به‌شدت آلاییده سیلیکون (Si) یا سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) است. این پژوهش شرایط XPS را بهینه کرده، طیف‌سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس سخت (HAXPES) را بررسی نموده و تکنیک‌های مکمل مانند SIMS، FTIR، XRD و اندازه‌گیری‌های الکتریکی را ادغام می‌کند. این کار در Laboratoire Analyses de Surfaces et Interfaces، بخشی از Département des Plateformes Technologiques (LETI) انجام می‌شود و به بهبود قابلیت اطمینان قطعات در میکروالکترونیک کمک خواهد کرد.