دکتری در زمینه رشد اپیتکسیال پیشرفته برای مدارهای مجتمع فوتونیک مبتنی بر InP
بررسی تکنیک‌های پیشرفته رشد اپیتکسیال جهت توسعه مدارهای مجتمع فوتونیک مبتنی بر InP برای فناوری‌های نوری نسل آینده.
مناسب برای:مناسب برای داوطلبانی با پیشینه قوی در علم مواد، فیزیک نیمه‌هادی‌ها یا مهندسی برق که به دنبال مشارکت در فناوری‌های نوری پیشرفته و پیشرفت‌های تولیدی هستند.
مرور کلی
این موقعیت دکتری در دانشگاه صنعتی آیندهوون بر پیشبرد رشد اپیتکسیال مواد مبتنی بر InP برای مدارهای مجتمع فوتونیک (PICs) تمرکز دارد. هدف این پروژه بهینه‌سازی یکنواختی و قابلیت اطمینان مواد برای اجزای فوتونیک فعال مانند لیزرها و تقویت‌کننده‌ها است و چالش‌های حیاتی در زمینه یکپارچه‌سازی مقیاس‌بزرگ و قابلیت ساخت را پوشش می‌دهد. نامزد موفق با تجهیزات پیشرفته، از جمله جدیدترین نسل راکتور اپی Aixtron، برای توسعه مدل‌های پیش‌بینی‌کننده که پارامترهای رشد را به عملکرد قطعه پیوند می‌دهند، کار خواهد کرد. همکاری با شرکای ریخته‌گری تجاری یافته‌ها را اعتباربخشی کرده و کاربردپذیری در دنیای واقعی را تضمین می‌کند. این پژوهش با کار پیشرو خط پایلوت JePPIX در زمینه یکپارچه‌سازی فوتونیک همسو است و محیطی پویا را برای نوآوری بین‌رشته‌ای فراهم می‌کند.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.