مدل‌سازی و مشخصه‌یابی ترانزیستورهای CFET برای بهبود عملکرد الکتریکی

این موقعیت مقطع دکتری در دانشگاه گرنوبل آلپ (Université Grenoble Alpes)، که در بخش قطعات سیلیکونی (LETI) انجام می‌شود، بر بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی مکمل (CFET) به منظور پیشبرد کوچک‌سازی ترانزیستورها برای رایانش با عملکرد بالا تمرکز دارد. این پژوهش شامل مطالعه و بهینه‌سازی مهندسی کرنش کانال برای بهبود تحرک حامل‌ها و عملکرد کلی الکتریکی ادوات است. داوطلب ترکیبی از مدل‌سازی عددی المان محدود فرآیندهای فناورانه را با مشخصه‌یابی تجربی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری همراه با پراش الکترونی پیش‌تقدم (TEM-PED) ترکیب خواهد کرد. در نهایت، هدف این کار توسعه ابزارهای مدل‌سازی اختصاصی و متدولوژی‌های مشخصه‌یابی مقاوم برای درک بهتر مکانیسم‌های کرنش در معماری‌های انباشته CMOS است.