PhD Monitor
/جزئیات
مهندسی● باز⏰ ۸ روز ماندهPreview

فلوشیپ تحقیقاتی دکتری در سلول‌های حافظه مقاومتی چندسطحی برای محاسبات سه‌گانه

به یک تیم تحقیقاتی پیشرفته بپیوندید تا در الکترونیک پساباینری نوآوری کنید.

مناسب برای:بهترین برای نامزدهایی با پایه قوی در میکروالکترونیک و اشتیاق به فناوری‌های حافظه نوآورانه.

دانشگاه نروژ جنوب شرقی · بوره, نروژ
استادان بیشتر در دانشگاه نروژ جنوب شرقی
حافظه مقاومتیمحاسبات سه‌گانهمیکروفابریکیشنالکترونیک
مهلت
۲۲ اکتبر ۲۰۲۶
۸ روز
بودجه
—
شروع
—
مکان
بوره
نروژ

مرور کلی

دانشگاه نروژ جنوب شرقی به دنبال یک فلوشیپ تحقیقاتی دکتری برای بررسی ساخت و شناسایی فناوری حافظه مقاومتی چندسطحی است. این موقعیت تمام‌وقت سه‌ساله بر توسعه دستگاه‌های حافظه پیشرفته‌ای که فراتر از سیستم‌های باینری سنتی عمل می‌کنند، متمرکز است. نامزد موفق در تحقیقات عملی در آزمایشگاه MST شرکت خواهد کرد و به طراحی و آزمایش سلول‌های ReRAM نوآورانه کمک خواهد کرد. از متقاضیان انتظار می‌رود که زمینه قوی در زمینه‌های مرتبط و تعهد به تحقیقات مشترک را نشان دهند.

دکتریحافظه مقاومتیمنطق سه‌گانهمیکروالکترونیکنانوتکنولوژیطراحی چیپفناوری حافظهفلوشیپ تحقیقاتی

نحوهٔ درخواست

آزمایشگاه
گروه تحقیقاتی سه‌گانه
دانشگاه نروژ جنوب شرقی
نروژ
موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان
آماده‌اید؟
۸ روز تا مهلت — به این موقعیت اقدام کن.