موقعیت دکتری در مدارهای GaN برای کاربردهای با توان بالا

توسعه نسل بعدی مدارهای مجتمع مبتنی بر GaN با کارایی بالا برای سیستم‌های ارتباطی و راداری.

مناسب برای:مناسب برای داوطلبان با پیش‌زمینه مهندسی برق یا فیزیک و علاقه شدید به طراحی دستگاه‌های نیمه‌هادی و الکترونیک فرکانس بالا.

Fraunhofer Society · Freiburg im Breisgau, Germany

استادان بیشتر در Fraunhofer Society

نیترید گالیم (GaN)الکترونیک فرکانس بالادستگاه‌های نیمه‌هادیطراحی MMICالکترونیک قدرتشبیه‌سازی الکترومغناطیسی

مهلت

—

بودجه

—

شروع

—

مکان

Freiburg im Breisgau

Germany

مرور کلی

مؤسسه فیزیک حالت جامد کاربردی فرانهوفر (IAF) به دنبال یک داوطلب دکتری برای پیشبرد سیستم‌های با کارایی بالا با استفاده از فناوری پیشرفته GaN است. داوطلب موفق، مدارهای مجتمع فرکانس بالای (MMIC) مبتنی بر فرآیند 100 ولتی GaN-HEMT را برای کاربردهایی تا 12 گیگاهرتز طراحی خواهد کرد. این نقش شامل بهینه‌سازی عملکرد دستگاه، کاوش مفاهیم خنک‌سازی نوآورانه مانند خنک‌سازی از سمت بالای الماس و انجام تحلیل‌های میدان الکترومغناطیسی است. این موقعیت فرصتی برای کار در کل زنجیره ارزش نیمه‌هادی‌ها در یک محیط تحقیقاتی پیشرو در جهان فراهم می‌کند.

GaN-HEMTMMICتحقیقات نیمه‌هادیمدارهای فرکانس بالاموقعیت دکتریFraunhofer IAFسیستم‌های قدرت

نحوهٔ درخواست

↗صفحهٔ درخواست

آزمایشگاه

Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF)

Fraunhofer Society

Germany

موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان

آماده‌اید؟

به این موقعیت اقدام کن یا برای بعد ذخیره‌اش کن.