اتصال مستقیم تراشه به ویفر: از مکانیسم‌های فیزیکی تا توسعه تراشه‌های نازک قابل انباشت

بررسی مکانیسم‌های اتصال مستقیم و توسعه تراشه‌های نازک قابل انباشت برای کاربردهای پیشرفته میکروالکترونیک.

مناسب برای:مناسب برای فارغ‌التحصیلان علوم مواد یا میکروالکترونیک که به تولید نیمه‌هادی‌ها و فناوری‌های اتصال علاقه‌مند هستند.

Université Grenoble Alpes, Grenoble INP · Grenoble, France

استادان بیشتر در Université Grenoble Alpes, Grenoble INP

MicroelectronicsDirect BondingSilicon PhotonicsHybrid BondingSemiconductor Manufacturing

مهلت

۳۱ اکتبر ۲۰۲۶

۱۶ روز

بودجه

حقوقی

شروع

—

مکان

Grenoble

France

مرور کلی

این موقعیت دکتری در Laboratoire LETI (Grenoble INP) بر مکانیسم‌های فیزیکی اتصال مستقیم تراشه به ویفر تمرکز دارد. هدف این پژوهش، بررسی اثرات لبه‌ای و پیاده‌سازی فرآیندهای اتصال نوین برای غلبه بر چالش‌های فعلی مسطح‌سازی در میکروالکترونیک است. داوطلب در پروژه‌هایی شامل فوتونیک سیلیکونی و کاربردهای اتصال هیبریدی سه‌بعدی مشارکت خواهد کرد. این نقش فرصتی برای توسعه تراشه‌های نازک قابل انباشت به عنوان جایگزینی فناورانه برای فرآیندهای سنتی داماسن فراهم می‌کند.

Dies-to-wafer bondingThin stackable diesSurface planarizationSemiconductor engineeringLETIMicro-nanotechnology

نحوهٔ درخواست

↗صفحهٔ درخواست

آزمایشگاه

Laboratoire surface collage CMP implant découpe grinding

Université Grenoble Alpes, Grenoble INP

France

موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان

آماده‌اید؟

۱۶ روز تا مهلت — به این موقعیت اقدام کن.