دکتری در زمینه رسوب‌گذاری گزینشی اکسیدها با روش ALD برای میکروالکترونیک
بررسی تکنیک‌های پیشرفته رسوب‌گذاری گزینشی ناحیه‌ای اکسیدهای فلزی به منظور ساده‌سازی ساخت ترانزیستورهای FDSOI نسل بعدی.
مناسب برای:مناسب برای پژوهشگران مقطع تحصیلات تکمیلی با پس‌زمینه علم مواد، فیزیک یا شیمی که به دنبال تخصص در زمینه نانوفابیکیشن نیمه‌هادی‌ها و مشخصه‌یابی سطحی هستند.
مرور کلی
این موقعیت دکتری به بررسی رسوب‌گذاری گزینشی ناحیه‌ای (ASD) لنزهای نازک اکسید برای طرح‌های یکپارچه‌سازی پیشرفته میکروالکترونیک می‌پردازد. این پروژه که در CEA-LETI با همکاری LMI CNRS/UCBLyon میزبانی می‌شود، بر رسوب‌گذاری اکسیدهایی مانند SiO2 و Al2O3 بر روی سیلیکون و در عین حال مهار رشد آن‌ها بر روی سطوح نیترید سیلیکون تمرکز دارد. نامزد منتخب برای دستیابی به گزینش‌پذیری بالا، استراتژی‌های مختلف تغییر سطح از جمله درمان‌های پلاسما و مهارکننده‌های مولکولی کوچک را بررسی خواهد کرد. مشخصه‌یابی جامع با استفاده از اتاق‌های تمیز پیشرفته و ابزارهای تحلیلی برای کشف مکانیسم‌های فیزیکی-شیمیایی زیربنایی انجام خواهد شد.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.