اتصالات سیلایدی ابررسانا روی سیلیکون ابردوبارشده به روش NPLA

این موقعیت دکتری بر ساخت ادوات رایانش کوانتومی مقاوم با استفاده از فناوری سیلیکون FD-SOI، به ویژه هدف قرار دادن ترانزیستور اثر میدانی جوزفسون (JoFET) تمرکز دارد. نامزد منتخب در مرز بین مناطق سورس/درین ابررسانا و کانال‌های نیمه‌هادی کار خواهد کرد و از بازپخت لیزری پالسی نانوثانیه‌ای (NPLA) برای دستیابی به غلظت‌های دوپینگ شدید بهره خواهد برد. مسئولیت‌ها شامل تشکیل سیلایدهای ابررسانا با بودجه گرمایی حداقلی، تحلیل توزیع ناخالصی با استفاده از توموگرافی پروب اتمی، و ارزیابی شفافیت اتصال از طریق اندازه‌گیری‌های الکتریکی در دمای پایین است. متقاضی موفق در کشور فرانسه مستقر خواهد شد و در یک محیط آزمایشگاهی پژوهشی بزرگ ادغام می‌شود.