موقعیت دکتری روی خازن‌های اکسید هافنیوم (HfO2) فروالکتریک و پادفروالکتریک

این موقعیت دکتری فرصتی هیجان‌انگیز برای کاوش در فناوری‌های نوین ابرخازن و ذخیره‌سازی انرژی هیبریدی در دانشگاه گرنوبل آلپ، به میزبانی آزمایشگاه CEA LETI فراهم می‌کند. تمرکز این پژوهش بر بررسی تجربی و مدل‌سازی فیزیکی خازن‌های فیلم نازک اکسید هافنیوم (HfO2) با دوپینگ عمدی برای دستیابی به ویژگی‌های فروالکتریک یا پادفروالکتریک است. نامزد موفق خازن‌های فلز-عایق-فلز را می‌سازد، مشخصه‌یابی‌های جامع الکتریکی را انجام می‌دهد و مدل‌های فیزیکی توصیف‌کننده آرامش حوزه تحت تحریک الکتریکی را توسعه خواهد داد. هدف کلی بهینه‌سازی چگالی انرژی و بازده تبدیل برای سیستم‌های یکپارچه سازگار با CMOS است.