مشخصه‌یابی الکتریکی و بهینه‌سازی ترانзиستورهای پیوندی دوقطبی III-V روی سیلیکون برای کاربردهای 6G و ارتباطات داده‌ای
توسعه ترانзиستورهای پیوندی دوقطبی (HBT) مبتنی بر ایندیوم فسفید با عملکرد بالا روی بستر سیلیکونی جهت توانمندسازی نسل بعدی ارتباطات 6G و مراکز داده هوش مصنوعی.
مناسب برای:مناسب برای کاندیداهایی با پیشینه قوی در فیزیک نیمه‌هادی‌ها، مشخصه‌یابی فرکانس رادیویی (RF) و مدل‌سازی قطعات.
مرور کلی
این موقعیت مقطع دکتری در آزمایشگاه ترانзиستورهای پیشرفته (LETI) بر توسعه ترانзиستورهای پیوندی دوقطبی (HBT) مبتنی بر ایندیوم فسفید یکپارچه‌شده روی بسترهای سیلیکونی تمرکز دارد. هدف این پژوهش غلبه بر محدودیت‌های فعلی فناوری سیلیکون برای تقویت‌کننده‌های توان فرکانس زیرتراهرتز و درایورهای نوری پرسرعت در مراکز داده هوش مصنوعی است. کاندیدای موفق به مشخصه‌یابی الکتریکی، شبیه‌سازی پارازیت‌های قطعه و همکاری با مهندسان فرایند جهت بهینه‌سازی معماری قطعه خواهد پرداخت. این نقش برای پیشبرد فناوری‌های ارتباطی پرسرعت و با بهره‌وری انرژی حیاتی است.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.