مقطع دکتری در رشد اپی‌تاکسی پیشرفته برای مدارهای مجتمع فوتونیکی مبتنی بر InP
بررسی رشد اپی‌تاکسی پیشرفته و بازده ساخت مدارهای مجتمع فوتونیکی مبتنی بر InP با استفاده از فناوری پیشرفته MOCVD.
مناسب برای:مناسب برای دانشمندان مواد یا فیزیک‌دانان کاربردی با پیشینه قوی در فیزیک نیمه‌هادی‌ها و فرآیندهای رشد اپی‌تاکسی.
مرور کلی
دانشگاه صنعتی آیندهوون یک موقعیت دکتری چهارساله با تأمین مالی کامل را با تمرکز بر رشد اپی‌تاکسی مواد کاربردی برای مدارهای مجتمع فوتونیکی (PIC) ایندیوم فسفید (InP) ارائه می‌دهد. این پژوهشگر با کار در گروه یکپارچه‌سازی فوتونیک و با استفاده از راکتور MOCVD نسل بعدی Aixtron، محدودیت‌های بنیادی رشد را بررسی خواهد کرد، یکنواختی مواد را بهینه‌سازی می‌کند و مکانیزم‌های خرابی را برای بهبود بازده ساخت تجزیه و تحلیل می‌نماید. نامزد منتخب آزمایش‌های دقیق علم مواد را با مدل‌سازی پیش‌بینانه داده‌ها با همکاری نزدیک شرکای ریخته‌گری صنعتی ترکیب خواهد کرد. وظایف آموزشی بین ۱۰ تا ۱۵ درصد از زمان کار سالانه را به خود اختصاص خواهد داد.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.