۲ موقعیت دکتری در زمینه کنترل نوری فوق‌سریع ویژگی‌های مغناطیسی توپولوژیک
بررسی کنترل لیزری فمتوثانیه‌ای اسکایرمیون‌ها و بافت‌های مغناطیسی توپولوژیک از طریق اپتیک پیشرفته و رشد لایه نازک.
مناسب برای:مناسب برای فارغ‌التحصیلان فیزیک یا علم مواد با پیشینه قوی در زمینه اپتیک، ساخت لایه نازک یا مغناطیس.
مرور کلی
دانشگاه صنعتی آیندهوون دو موقعیت دکتری با تمرکز بر کنترل نوری فوق‌سریع بافت‌های مغناطیسی توپولوژیک ارائه می‌دهد. این پژوهش شامل استفاده از لیزرهای فمتوثانیه‌ای برای دستکاری اسکایرمیون‌ها و سایر ساختارهای توپولوژیک از طریق اپتیک مغناطیسی تفکیک‌پذیر در زمان و تکنیک‌های تصویربرداری پیشرفته است. نامزدها همچنین در زمینه رشد لایه نازک و نانولیتوگرافی برای ساخت نمونه‌های تخصصی جهت تست نوری فعالیت خواهند کرد. از متقاضیان موفق انتظار می‌رود پژوهش‌های تجربی دقیق انجام دهند، با اعضای تیم همکاری کنند و در مقالات علمی مشارکت داشته باشند.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.