ویژگی‌سنجی نقص اتصال در ترانزیستورهای SOI MOSFET با بودجه حرارتی پایین

این موقعیت مقطع دکتری در Universite Grenoble Alpes، با همکاری CEA-Leti و CROMA (IMEP-LAHC)، بر مشخصه‌یابی عمیق الکتریکی و فیزیکی اتصالات ترانزیستوری ساخته‌شده تحت بودجه‌های حرارتی محدود تمرکز دارد. هدف این پژوهش غلبه بر چالش‌های فعال‌سازی ناخالصی برای یکپارچه‌سازی متوالی سه‌بعدی ادوات نیمه‌هادی پیشرفته است. نامزد منتخب از داده‌های تجربی موجود در کنار ابزارهای شبیه‌سازی برای درک یکپارچه‌سازی فرآیند و تحلیل نقص‌های قطعه استفاده خواهد کرد. این نقش انتظار مشارکت‌های علمی فعال، از جمله انتشارات و ارائه‌های آکادمیک را دارد.