موقعیت دکتری در فناوری فرآیند برای نیمه‌هادی‌های دیجیتال نوین III-V

این موقعیت دکتری در Fraunhofer IAF در فرایبورگ آلمان، بر پیشگامی در مفاهیم نوین نیمه‌هادی‌های دیجیتال III-V، به‌ویژه GaN-HEMTها تمرکز دارد. داوطلب موفق، تحقیقات پیشرفته‌ای را در زمینه فناوری فرآیند، شامل اچینگ، لیتوگرافی، اپیتاکسی و توسعه دستگاه انجام خواهد داد تا قطعات سوئیچینگ و تقویت‌کننده دیجیتال با فرکانس بالا را بهبود بخشد. این کار شامل آزمایش‌های عملی در محیط‌های اتاق تمیز، همکاری با شرکای ملی و بین‌المللی و مشارکت در پروژه‌های تحقیقاتی کاربردی است. این نقش برای فیزیکدانان، مهندسان برق یا دانشمندان علوم مواد با پایه قوی در فیزیک نیمه‌هادی و فناوری نانو/میکرو که به دنبال پیشبرد نوآوری در ساخت دستگاه‌های نیمه‌هادی هستند، ایده‌آل است.