PhD Monitor
/جزئیات
Electronics● بازPreview

مشخصه‌یابی حرارتی قطعات مبتنی بر نیترید گالیوم با استفاده از میکرو-دماسنجی رامان

توسعه‌ی تکنیک‌های نوآورانه دماسنجی رامان جهت ارزیابی خودگرمایشی و قابلیت اطمینان ترانزیستورهای قدرت پیشرفته نیترید گالیوم.

مناسب برای:مناسب برای فارغ‌التحصیلان مهندسی الکترونیک با پیشینه قوی در زمینه آزمایشگاهی و علاقه‌مند به مشخصه‌یابی حرارتی نیمه‌هادی‌ها.

Universite de Caen Normandie · Normandie, France
استادان بیشتر در Universite de Caen Normandie
Gallium NitrideThermal CharacterizationRaman SpectroscopyPower TransistorsSemiconductor Devices
مهلت
۱۶ دسامبر ۲۰۲۶
۶۲ روز
بودجه
حقوقی
شروع
—
مکان
Normandie
France

مرور کلی

این موقعیت مقطع دکتری در آزمایشگاه GREYC وابسته به دانشگاه کان نرماندی، رفتار حرارتی قطعات قدرت و ریزموج نیترید گالیوم (GaN) را تحت شرایط عملیاتی بررسی می‌کند. نامزد دکتری از طیف‌سنجی رامان به همراه میکرو-دماسنج‌های نانوذره اکسید سریم برای اندازه‌گیری دمای خودگرمایشی در نزدیکی کانال‌های الکترونیکی فعال استفاده کرده و آن را بهبود خواهد بخشید. هدف این پژوهش، بهینه‌سازی فرآیندهای مشخصه‌یابی حرارتی برای سامانه‌های قدرت هوافضا، مخابرات و وسایل نقلیه الکتریکی است. متقاضی پذیرفته‌شده آزمایش‌های تجربی را انجام خواهد داد، روش‌های رسوب‌دهی میکرو-دماسنج‌ها را توسعه می‌دهد و مدل‌های حرارتی را برای پیش‌بینی قابلیت اطمینان قطعات می‌سازد.

GaN componentsRaman micro-thermometersself-heatingpower electronicsthermal modelingsemiconductor reliability

نحوهٔ درخواست

آزمایشگاه
GREYC UMR CNRS 6072
Universite de Caen Normandie
France
موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان
آماده‌اید؟
۶۲ روز تا مهلت — به این موقعیت اقدام کن.