دکتری در زمینه قابلیت اطمینان و خواص دینامیکی GaN HEMTها

این پروژه دکتری به بررسی دینامیک بنیادی حامل‌های بار و چالش‌های قابلیت اطمینان در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک الکترونی بالا (GaN HEMT) برای پشتیبانی از الکترونیک قدرت با بازده بالا در مراکز داده می‌پردازد. این پروژه که در CEA-Leti و با همکاری یک تیم پژوهشی چندرشته‌ای میزبانی می‌شود، داوطلب را به تحلیل رفتار الکتریکی تحت شرایط عملیاتی مختلف و مطالعه منشأ فیزیکی رانش‌های مقاومت روشن و ولتاژ آستانه هدایت می‌کند. یافته‌ها مستقیماً به بهینه‌سازی معماری‌های قطعات و افزایش استحکام سیستم‌های تبدیل توان کمک خواهد کرد. از متقاضیان انتظار می‌رود در مهندسی فرآیند، تست‌های الکتریکی پیشرفته و شبیه‌سازی‌های TCAD مشارکت کنند.