موقعیت دکتری در حافظه‌های فروالکتریک سه‌بعدی (FeRAM) با سلول‌های بیتی یکپارچه‌شده با BEOL
ارزیابی ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌هادی اکسید بی‌شکل عمودی برای آرایه‌های حافظه FeRAM سه‌بعدی نسل بعدی.
مناسب برای:مناسب برای فارغ‌التحصیلان مهندسی با پیشینه در میکروالکترونیک، دستگاه‌های نیمه‌هادی یا طراحی مدارهای مجتمع.
مرور کلی
این موقعیت دکتری بر توسعه حافظه‌های فروالکتریک سه‌بعدی نسل بعدی (FeRAM) با استفاده از سلول‌های بیتی یکپارچه‌شده با بخش پایانی فرآیند ساخت (BEOL) تمرکز دارد. این پژوهش که در دانشگاه گرنوبل آلپ و آزمایشگاه CEA-Leti مستقر است، ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌هادی اکسید بی‌شکل عمودی (AOSFETs) را به عنوان انتخاب‌گرهای جایگزین برای عملکرد حافظه با ولتاژ بسیار پایین ارزیابی خواهد کرد. این پروژه در درجه اول بر بهینه‌سازی مشترک طراحی و فناوری (DTCO) برای تدوین طرح‌های ادغام سلول‌های بیتی متراکم با پشتیبانی نتایج تجربی اخیر تمرکز دارد. نامزد منتخب از نزدیک با پژوهشگران برجسته همکاری خواهد کرد تا در نمایش‌های اولیه سیلیکونی مشارکت داشته باشد.
نحوهٔ درخواست
برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.