رشد مواد کالکوژنید فرومغناطیس دوبعدی برای اسپینترونیک

این موقعیت دکتری در دانشگاه گرنوبل آلپ، با همکاری CEA-Leti، بر رشد اپیتاکسیال در مقیاس صنعتی مواد کالکوژنید فرومغناطیس دوبعدی برای حافظه‌های اسپینترونیک با بهره‌وری انرژی بالا تمرکز دارد. داوطلب منتخب بر اپیتاکسی واندروالس لایه‌های نازک مانند Fe-Ge(Ga)Te2 یا GeMnTe روی بسترهای سیلیکونی ۳۰۰ میلی‌متری تسلط خواهد یافت. این پژوهش شامل ادغام این منابع فرومغناطیس با لایه‌های تبدیل اسپین-بار و ارزیابی سازگاری آن‌ها با فناوری CMOS موجود است. از داوطلب منتخب انتظار می‌رود که کارهای تجربی دقیقی انجام دهد، یافته‌ها را در مجلات معتبر منتشر کند و به پیشرفت نسل بعدی دستگاه‌های حافظه کم‌مصرف کمک کند.