پژوهشگر پسادکتری در اپیتاکسی باریکه مولکولی مواد III-V/Si

به یک برنامه پیشرو با بودجه EPSRC بپیوندید تا فوتونیک سیلیکونی مبتنی بر نقطه کوانتومی را برای فناوری‌های ارتباطی و حسگری نسل بعد پیش ببرید.

مناسب برای:مناسب برای پژوهشگران باتجربه با تخصص در MBE گروه III-V و IV، مواد نیمه‌هادی، و لیزرهای نقطه کوانتومی که به دنبال مشارکت در پژوهش‌های پیشرو فوتونیک سیلیکونی هستند.

UCL · London, United Kingdom

استادان بیشتر در UCL

نیمه‌هادی‌های مرکب III-V روی سیلیکوناپیتاکسی باریکه مولکولی (MBE)لیزرهای نقطه کوانتومیرشد هترواپیتاکسیالمدارهای مجتمع فوتونیکفوتونیک سیلیکونی

این یک موقعیت پسادکترا است — نه پذیرش دکترا.

مهلت

۱۶ اکتبر ۲۰۲۶

۲ روز

بودجه

حقوقی

شروع

—

مکان

London

United Kingdom

مرور کلی

این موقعیت دو فلوشیپ پژوهشی را در دانشگاه کالج لندن (UCL) در دپارتمان مهندسی برق و الکترونیک ارائه می‌دهد. نامزدهای موفق در گرنت برنامه EPSRC به نام QUDOS مشارکت خواهند کرد که تلاشی مشترک با دانشگاه کاردیف، کمبریج و ساوتهمپتون برای توسعه فناوری‌های فوتونیک مجتمع با استفاده از نیمه‌هادی‌های مرکب III-V بر روی سیلیکون است. این نقش بر رشد اپیتاکسیال و توسعه مواد نیمه‌هادی پیشرفته و ادوات اپتوالکترونیک با استفاده از اپیتاکسی باریکه مولکولی (MBE) تمرکز دارد. پژوهشگران به انجام پژوهش‌های مستقل، نگهداری از تجهیزات پیشرفته MBE و پیشبرد اهداف گسترده‌تر یکپارچه‌سازی یکپارچه مقیاس‌پذیر برای فوتونیک سیلیکونی مبتنی بر نقطه کوانتومی با هدف ایجاد انقلاب در فناوری‌های ارتباطی، حسگری و پردازش اطلاعات خواهند پرداخت.

فوتونیک نیمه‌هادیاپیتاکسی باریکه مولکولیمواد III-Vلیزرهای نقطه کوانتومیفوتونیک سیلیکونیادوات نوریهترواپیتاکسیگرنت برنامه EPSRC

نحوهٔ درخواست

↗صفحهٔ درخواست

آزمایشگاه

QUDOS Programme Grant (Quantum Dot on Silicon Systems)

UCL

United Kingdom

موقعیت کامل را ببین

برای دیدن امتیاز تطابق شخصی، نیازمندی‌ها، جزئیات بودجه و نحوهٔ درخواست — به انگلیسی یا فارسی — حساب کاربری رایگان بساز.

بدون نیاز به کارت بانکی · ۱۰ امتیاز تطابق AI رایگان

آماده‌اید؟

۲ روز تا مهلت — به این موقعیت اقدام کن.